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KLA 四探針電阻率測(cè)量?jī)x

簡(jiǎn)要描述:KLA R50 四探針電阻率測(cè)繪系統(tǒng)是KLA電阻測(cè)試系列的產(chǎn)品。電阻測(cè)量和監(jiān)控對(duì)于任何使用導(dǎo)電薄膜的行業(yè)都相當(dāng)重要,從半導(dǎo)體制造到可穿戴技術(shù)所需的柔性電子產(chǎn)品。KLA R50 四探針電阻率測(cè)量?jī)x在金屬膜均勻性分布、離子摻雜和注入表征、薄膜厚度和電阻率分布、以及非接觸膜厚等量測(cè)領(lǐng)域均可涉及。

  • 產(chǎn)品型號(hào):R50
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 更新時(shí)間:2025-06-24
  • 訪  問(wèn)  量:1378
產(chǎn)品詳情

KLA R50 四探針電阻率測(cè)量?jī)x




KLA R50 四探針電阻率測(cè)量?jī)x產(chǎn)品介紹:

KLA R50 四探針電阻率測(cè)繪系統(tǒng)是KLA電阻測(cè)試系列的產(chǎn)品。電阻測(cè)量和監(jiān)控對(duì)于任何使用導(dǎo)電薄膜的行業(yè)都相當(dāng)重要,從半導(dǎo)體制造到可穿戴技術(shù)所需的柔性電子產(chǎn)品。KLA R50 四探針電阻率測(cè)量?jī)x在金屬膜均勻性分布、離子摻雜和注入表征、薄膜厚度和電阻率分布、以及非接觸膜厚等量測(cè)領(lǐng)域均可涉及。



KLA R50 四探針電阻率測(cè)量?jī)x優(yōu)勢(shì):

  • 接觸式四點(diǎn)探針(4PP)和非接觸式電渦流(EC)配置;

  • 100mmZ行程,高精度控制;

  • 導(dǎo)體和半導(dǎo)體薄膜電阻,10個(gè)數(shù)量級(jí)范圍適用;

  • 測(cè)試點(diǎn)自定義編輯,包括矩形、線性、極坐標(biāo)以及自定義配置;

  • 200mmXY電動(dòng)平臺(tái);

  • RSMapper軟件靈活易用;

  • 兼容KLA所有薄膜電阻測(cè)量探針;



KLA R50 四探針電阻率測(cè)量?jī)x測(cè)量原理:

四點(diǎn)探針(4PP)由四個(gè)導(dǎo)電探針組成的探頭以可控力接觸導(dǎo)電層表面,其中在被測(cè)導(dǎo)電層和襯底之間有非導(dǎo)電阻擋層。標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量的探針配置是在兩個(gè)外側(cè)探針之間施加電流并在兩個(gè)內(nèi)側(cè)探針之間測(cè)量電壓。測(cè)量薄膜電阻時(shí),導(dǎo)電層厚度應(yīng)小于兩個(gè)探針之間距離的1/2。KLA在R50四探針電阻率測(cè)量?jī)x上研發(fā)了雙模技術(shù),該技術(shù)允許測(cè)量間隔探針上的電壓,并配置了邊界效應(yīng)動(dòng)態(tài)校正和探針間距誤差補(bǔ)償功能。KLA提供了豐富的探針類(lèi)型以適用和優(yōu)化不同表面材料的特性表征測(cè)量,幾乎可用于任何導(dǎo)電薄膜或離子注入層。


電渦流(EC)是非接觸式導(dǎo)電薄膜測(cè)量技術(shù)。通過(guò)線圈施加時(shí)變電流以產(chǎn)生時(shí)變磁場(chǎng),當(dāng)該磁場(chǎng)靠近導(dǎo)電表面時(shí),會(huì)在該表面中產(chǎn)生感應(yīng)時(shí)變電流(渦流)。這些電渦流反過(guò)來(lái)會(huì)產(chǎn)生它們自己的時(shí)變磁場(chǎng),該磁場(chǎng)與探針線圈耦合并產(chǎn)生與樣品的電阻成比例的信號(hào)變化。KLA特殊的EC技術(shù),單個(gè)探頭位于樣品頂部,可以動(dòng)態(tài)的調(diào)整每個(gè)測(cè)量點(diǎn)的探頭高度,這對(duì)測(cè)量的準(zhǔn)確性和重復(fù)性相當(dāng)重要。EC法不受探頭尺寸或表面氧化的影響,非常適合較軟的或其它不適用于4PP接觸法測(cè)量的樣品。



KLA R50 四探針電阻率測(cè)量?jī)x行業(yè)應(yīng)用:

半導(dǎo)體

平板和VR顯示

化合物半導(dǎo)體

先進(jìn)封裝

太陽(yáng)能

印刷電路

穿戴設(shè)備

導(dǎo)電材料



KLA R50 四探針電阻率測(cè)量?jī)x產(chǎn)品應(yīng)用:

一、金屬薄膜均勻性

金屬薄膜的薄膜電阻均勻性對(duì)于確保元件性能相當(dāng)重要,大多數(shù)金屬薄膜都可以通過(guò)4PP和EC進(jìn)行測(cè)量。EC推薦用于較厚的高導(dǎo)電金屬膜,4PP適用于較薄的金屬膜(>10Ω/sq),但無(wú)論如何,4PP/EC均表現(xiàn)出很高相關(guān)性,從而可以確保使用任何一種方法都可以獲得準(zhǔn)確的結(jié)果。KLA R50 四探針電阻率測(cè)量?jī)x電阻分布圖可以表征薄膜均勻性、沉積質(zhì)量及其它工藝波動(dòng)。


二、離子注入表征

4PP法是衡量離子注入工藝的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量技術(shù)。在熱退火后通過(guò)測(cè)試離子注入分布可以識(shí)別由于燈故障、晶圓/平臺(tái)接觸不良或注入劑量變化而引起的熱點(diǎn)和冷點(diǎn)。對(duì)于硅離子注入層,熱退火工藝對(duì)于活化摻雜離子是必要的。


三、薄膜厚度/電阻率/薄膜電阻

通過(guò)采集的晶圓數(shù)據(jù),KLA R50 四探針電阻率測(cè)量?jī)x可以繪制出薄膜電阻、薄膜厚度或電阻率分布圖。通過(guò)輸入材料的電阻率,可以計(jì)算和顯示膜厚分布;或者通過(guò)輸入膜厚數(shù)據(jù),則可以計(jì)算電阻率分布。


四、數(shù)據(jù)采集和可視化

KLA R50 四探針電阻率測(cè)量?jī)x的RSMapper軟件將數(shù)據(jù)采集和強(qiáng)大的分析功能結(jié)合在一起,擁有直觀的可視化界面,即可以用于設(shè)備本身,也可以進(jìn)行離線使用。軟件自帶的各種坐標(biāo)布局工具可以幫助用戶輕松設(shè)置數(shù)據(jù)測(cè)量點(diǎn)。



KLA R50 四探針電阻率測(cè)量?jī)x產(chǎn)品參數(shù):

Z范圍:

60mm

Z平臺(tái)類(lèi)型:

自動(dòng)

X-Y平臺(tái)類(lèi)型:

自動(dòng)

樣品臺(tái)最大承重:

2.5kg

傾斜樣品臺(tái):

±5°手動(dòng)


電學(xué)性能


R50-4PP

R50-EC

測(cè)量點(diǎn)重復(fù)性:

<0.02%

<0.2%

準(zhǔn)確性:

±0.2%

±1%

更多參數(shù)可聯(lián)系我們獲取


KLA R50 四探針電阻率測(cè)量?jī)x測(cè)量圖:




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